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介電常數(shù)分絕對(duì)介電常數(shù)（ε）和相對(duì)介電常數(shù)（ε_r）。絕對(duì)介電常數(shù)是電流密度D與電場(chǎng)強(qiáng)度E之比，法定計(jì)量單位法拉/米，符號(hào)為F/m。相對(duì)介電常數(shù)ε_r是絕對(duì)介電常數(shù)ε與真空介電常數(shù)ε₀之比，也可以用電容器兩極間充有該電介質(zhì)時(shí)的電容量（C_x）與其間為真空時(shí)的電容量（C₀）之比來(lái)確定，如式（4-49）所示。

ε_r=C_x/C₀——①

根據(jù)電學(xué)理論，ε_r與電介質(zhì)極化度α有如下關(guān)系：

ε_r=1+4πα——②

式中α——介質(zhì)極化率，在真空中α=0，ε=1，因此介質(zhì)的極化度越大，其ε越大。

玻璃的極化包括：

1、  電子位移極化：離子或原子中的電子云在外電場(chǎng)作用下發(fā)生變形，從而發(fā)生偶極矩的改變；

2、  離子位移極化：在外電場(chǎng)作用下，正、負(fù)離子偏離原有位置，做相對(duì)位移時(shí)所產(chǎn)生偶極矩的變動(dòng)；

3、  取向極化：由玻璃中極性分子在外電場(chǎng)作用下定向排列而引起的。

無(wú)機(jī)玻璃的ε_r一般介于4~20.作為高頻絕緣材料，特別是用于高壓絕緣時(shí)，ε_r要��；作用電容器時(shí)，則要求ε_r要大，尤其是制造小型電容器時(shí)。影響ε_r的因素主要是玻璃的化學(xué)成分、溫度和電場(chǎng)頻率。

玻璃的介電常數(shù)與其化學(xué)成分的關(guān)系可從離子極化率和遷移率的大小來(lái)考慮。在石英玻璃和純硼氧玻璃中，Si⁴⁺的極化率比B³⁺大，且B-O鍵能也比Si-O鍵能打，故石英玻璃中的橋氧離子的極化率也比B₂O₃玻璃中的橋氧離子大，所以石英玻璃的ε_r=3.75大于B₂O₃玻璃的ε_r=3.20.

在石英玻璃中加入堿金屬氧化物，使玻璃中出現(xiàn)了較易極化的非橋氧離子，從而增大了介電常數(shù)，圖4-29表示出二元堿金屬硅酸鹽玻璃介電常數(shù)的變化，從圖中可看出，在堿含量相同時(shí)隨著陽(yáng)離子半徑的增大，場(chǎng)強(qiáng)的減小，與非橋氧結(jié)合的降低，介電常數(shù)按Li₂O→Na₂O→K₂O的順序增大。

引入其它成分對(duì)介電常數(shù)的影響與上述類(lèi)似，對(duì)于堿土金屬也是陽(yáng)離子的場(chǎng)強(qiáng)減小時(shí)介電常數(shù)增大。副主元素本身的極化率也在介電常數(shù)上表現(xiàn)出來(lái)，例如將PbO引入玻璃中時(shí)，介電常數(shù)可超過(guò)10.二元堿金屬硼酸鹽玻璃的情況與堿金屬硅酸鹽玻璃的情況類(lèi)似。

溫度升高會(huì)增大陽(yáng)離子的遷移率，從而使介電常數(shù)增加很大。玻璃在100℃以下時(shí)，ε_r變動(dòng)不大，從20~100℃時(shí)ε_r平均增加3%~10%，但當(dāng)溫度進(jìn)一步升高時(shí)，ε_r迅速增大，如圖4-40所示。玻璃中R₂O含量越大，則ε_r迅速增大時(shí)的溫度越低。PbO也有同樣的作用。

介電常數(shù)還與測(cè)定的頻率有關(guān)。外電場(chǎng)頻率越低，ε_r越大，隨著頻率的增高，電子云變形發(fā)生困難，使ε_r減小，如圖4-41所示。頻率越低，在玻璃溫度升高過(guò)程中ε_r迅速變大的溫度也越低。在低溫時(shí)，頻率的影響較在高溫時(shí)為小，這是由于在高溫時(shí)離子和偶極子的熱運(yùn)動(dòng)加強(qiáng)，導(dǎo)致介質(zhì)極化增大的結(jié)果。

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